Quartzrohrofen für thermische Prozesse z.B. Annealing, Oxidation, Polyimid-Anwendungen. Der Quarzrohrofen PEO-604 bietet herausragende Leistung und Vielseitigkeit für anspruchsvolle thermische Anwendungen. Er eignet sich perfekt für Forschung, Pilotproduktion und Serienfertigung und verarbeitet bis zu 50 Wafer pro Prozesslauf mit einem maximalen Durchmesser von 200 mm. Der Hochtemperaturofen garantiert eine kontaminationsfreie Verarbeitung dank der leicht austauschbaren Quarz-Liner, die eine Querkontamination bei verschiedenen Prozessen verhindern.

Technische HighlightsPEO-604

  • Platzsparend dank geringer Stellfläche
  • Max. 50 Wafer pro Prozesslauf
  • Wafer bis zu Ø 200 mm
  • Keine Querkontamination zwischen verschiedenen Prozessen dank leicht austauschbarer Liner
  • 20 °C bis 1.000 °C innerhalb von 25 Minuten (leere Kammer)
  • Abkühlen von 1.000 °C auf <100 °C innerhalb von 60 Minuten (leere Kammer)
  • Hochvakuum bis zu 5 x 10-6 mbar
  • Sauerstoff <3,0 ppm mit Reinstgas N2

AnwendungsbereichePEO-604

  • Annealing:
    • Inerte Atmosphäre
    • Wasserstoff
    • Hochvakuum
  • Nass-/Trockenoxidaton
  • SiAl/SiAu/SiMo Legieren
  • Polyimid-Verfahren

Frontend Semiconductor Production PEO-604Semicon

Wafer-Quartzaufnahme
Perfekte Temperaturkontrolle für höchste Qualität
Prozessübersicht

PEO-604Semicon

Technische Daten

Abmessungen:
1.750 x 835 x 2.355 mm
Gewicht:
700 kg
Innerer Quarzrohrdurchmesser:
230 mm (9'')
Maximale Produkttemperatur:
1.000 °C (optional 1.100 °C)

Optionen

  • Leicht austauschbare Liner
  • Hochvakuum
  • H2-Annealing
  • Kundenspezifische Quarzware
  • Vakuumpumpe
  • DI-Wasser-Bubbler
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